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IRL530N	文件：193.79 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530N	文件：338.12 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL530NL	文件：300.2 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL530NLPBF	文件：465.09 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.10廓,ID=17A)	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NLPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	AdavancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NPBF	文件：587.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	AdavancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NS	文件：281.15 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NS	文件：189.18 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL530NSL	文件：290.4 Kbytes Page：11 Pages	lAdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：465.09 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.10廓,ID=17A)	IRF International Rectifier	IRF
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IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：250.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRLI530A	文件：274.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IRL530L
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRL530L	IR	23+	TO-262	35890		詢價
深圳市科雨電子有限公司	IRL530L	VISHAY	1503+	TO262-3	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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深圳市芯福林電子科技有限公司	IRL530L	Vishay Siliconix	21+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRL530L	Vishay Siliconix	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRL530L	Vishay Siliconix	2022+	TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
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更多IRL530L供應商更新時間2024-10-26 16:13:00

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