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IRL630STRRPBFA	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLHM630	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630PBF	文件：241.21 Kbytes Page：9 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM630TRPBF	文件：266.16 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630A	文件：274.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI630G	文件：337.13 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=6.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI630G	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI630GPBF	文件：1.41327 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40? ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630GPBF	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI630GPBF	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLS630A	文件：282.84 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=6.5A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLS630A	文件：264.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4? ID=9A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?150°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLW630A	文件：362.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLWI630A	文件：225.02 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科芯源微電子有限公司	IRL630S功率三極管	IR	24+	TO220	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
深圳市柯爾基電子有限公司	IRL631PBF	VISHAY	23+24	TO-220	59630	主營(yíng)原裝MOS,二三級(jí)管,肖特基,功率場(chǎng)效應(yīng)管	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRL6342	IR	23+	SOP-8	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRL6342	IR	23+	SOP-8	69000	全新原裝現(xiàn)貨熱賣/代理品牌/可申請(qǐng)樣品和規(guī)格書	詢價(jià)
深圳市新力誠(chéng)科技有限公司	IRL6342	IR	2020+	SOP-8	12000	公司代理品牌,原裝現(xiàn)貨超低價(jià)清倉(cāng)!	詢價(jià)
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深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRL6342	IR	23+	SO-8	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRL6342	IR	2022+	SOP-8	40000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	IRL6342	IR	22+	SOP-8	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)

更多IRL630STRR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 20:00:00

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