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IRL3803中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL3803
廠商型號(hào)

IRL3803

功能描述

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A??

文件大小

365.66 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 9:54:00

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IRL3803規(guī)格書(shū)詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

● Logic-Level Gate Drive

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL3803

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
TO-263
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
詢價(jià)
IR
23+
TO-220-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
IR
23+
TO-220
12000
全新原裝假一賠十
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IR
2022+
89
全新原裝 貨期兩周
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IR/VISHAY
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-220
11000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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12+
TO-263
2500
原裝現(xiàn)貨/特價(jià)
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