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IRG7PH42UD1PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UD1PBF

Device optimized for induction heating and soft switching applications

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UD1PBF

Package:TO-247-3;包裝:管件 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 85A 313W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PH42UD1PBF_15

Device optimized for induction heating and soft switching applications

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UD1-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODEFORINDUCTIONHEATINGANDSOFTSWITCHINGAPPLICATIONS

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UD1MPBF

1300Vpkrepetitivetransientcapacity

IRF

International Rectifier

IRG7PH42UD1MPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PH42UD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.21mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    -/270ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 85A 313W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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2022+
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
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TO247AC
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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6000
原裝正品,支持實(shí)單
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原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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TO-247AC
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
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更多IRG7PH42UD1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 9:50:00