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IRG4PC50F-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-247ADpackage ?Lead-Free Benefits ?

IRF

International Rectifier

IRG4PC50F-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50F-EPBF

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC50F-EPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50FPBF

IGBT

DESCRIPTION ·LowGateDriveRequirement ·HighCurrentHandlingCapability ·ShortCircuitCapability ·HighPowerDensity APPLICATIONS ·PowerInverters ·MotorDrives ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRG4PC50FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50FPBF

FastSpeedIGBT-INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

FastSpeedIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V,@Vge=15V,Ic=30A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerat

IRF

International Rectifier

IRG4PC50KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V,@Vge=15V,Ic=30A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ●ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ●Generation4IGBTdesignprovidestigh

IRF

International Rectifier

IRG4PC50KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhigh operationfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRated to10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFRE

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4PC50F-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，39A

  • 開關(guān)能量：

    370μJ（開），2.1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    31ns/240ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，39A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 200W TO247AD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
13+
TO-247
3600
原裝進(jìn)口正品
 詢價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
493
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 詢價(jià)
INFINEON
1809+
TO-247
375
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
493
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 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-247AD
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IR
22+
TO-247AD
6000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
更多IRG4PC50F-EPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 10:18:00

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