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IRG4BC30W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTde

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30W-S

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30W-SPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4BC30W

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    130μJ（開），130μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/99ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
TO-220
9896
詢價
IR
16+
原廠封裝
515
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
23+
原廠原裝
4000
全新原裝
 詢價
IR
24+
TO20
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
IR
1816+
TO-220
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
新
172
全新原裝 貨期兩周
 詢價
IR
2020+
TO20
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
IR
24+
TO-263
15000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
IR
2020+
TO-220AB
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
 詢價
更多IRG4BC30W供應商 更新時間2024-11-17 10:49:00

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