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IRG4PSH71UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?UltraFastswitchingspeedoptimizedforoperating frequencies8to40kHzinhardswitching,200kHz inresonantmodesoftswitching ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiency (minimumswitchingandconductionlosses)than

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IRG4PSH71UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71UDPBF

Package：TO-274AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PSH71UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.97V,@Vge=15V,Ic=42A)

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.97V @VGE=15V,IC=42A Features ?Hole-lessclip/pressuremountpackagecompatiblewithTO-247andTO-264,withreinforcedpins ?HighshortcircuitratingIGBTs,optimizedformotorcontrol ?Minimumswitchinglossescombinedwithlowconduction

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IRG4PSH71

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.97V,@Vge=15V,Ic=42A)

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.97V @VGE=15V,IC=42A Features ?Hole-lessclip/pressuremountpackagecompatiblewithTO-247andTO-264,withreinforcedpins ?HighshortcircuitratingIGBTs,optimizedformotorcontrol ?Minimumswitchinglossescombinedwithlowconduction

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IRG4PSH71K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.97V,@Vge=15V,Ic=42A)

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.97V @VGE=15V,IC=42A Features ?Hole-lessclip/pressuremountpackagecompatiblewithTO-247andTO-264,withreinforcedpins ?HighshortcircuitratingIGBTs,optimizedformotorcontrol ?Minimumswitchinglossescombinedwithlowconduction

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IRG4PSH71KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.97V,@Vge=15V,Ic=42A)

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.97V @VGE=15V,IC=42A Features ?Hole-lessclip/pressuremountpackagecompatiblewithTO-247andTO-264,withreinforcedpins ?HighshortcircuitratingIGBTs,optimizedformotorcontrol ?Minimumswitchinglossescombinedwithlowconduction

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IRG4PSH71KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

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IRG4PSH71KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.97V @VGE=15V,IC=42A Features ?Hole-lessclip/pressuremountpackagecompatiblewithTO-247andTO-264,withreinforcedpins ?HighshortcircuitratingIGBTs,optimizedformotorcontrol ?Minimumswitchinglossescombinedwithlowconductionlosses ?Tigh

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PSH71UDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，70A

  • 開關(guān)能量：

    8.8mJ（開），9.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    46ns/250ns

  • 測試條件：

    960V，70A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-274AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SUPER-247?（TO-274AA）

  • 描述：

    IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

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更多IRG4PSH71UDPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 19:20:00

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