亚洲一区精品无码,五年沉淀只做精品的app

<nav id="muvob"></nav>

<strong id="muvob"></strong>

首頁 >IRG4BC30U>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRG4BC30U	文件：167.86 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UDPBF	文件：279.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF	文件：587.53 Kbytes Page：8 Pages	UltraFast Speed IGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Bene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30US	文件：308.22 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Generati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U-S	文件：308.22 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Generati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U-SPBF	文件：392.64 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage ?Lead-Free Benefit	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UDPBF	文件：386.87 Kbytes Page：10 Pages	ULTRA FAST COPACK IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UDPBF_15	文件：386.87 Kbytes Page：10 Pages	ULTRA FAST COPACK IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF	文件：312.26 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF_15	文件：312.26 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC30U-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4BC30U
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
開關(guān)能量：
160μJ（開），200μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
17ns/78ns
測(cè)試條件：
480V，12A，23 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 23A 100W TO220AB

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市納艾斯科技有限公司	IRG4BC30U	IR	2020+	TO-220	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRG4BC30U	IR	24+	TO 220	161533	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRG4BC30U	IR	15+	TO-220	11560	全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRG4BC30U	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4230	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRG4BC30U	IR	23+	TO-220	35890		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRG4BC30U	IR	16+	原廠封裝	458	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRG4BC30U	IR	23+	TO-220	6680	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRG4BC30U	IR	17+	TO-220	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRG4BC30U	IR	2020+	TO-220	2040	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	IRG4BC30U	IR	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRG4BC30U供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 22:30:00

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號(hào) 粵公網(wǎng)安備 44030402000933號(hào)

<fieldset id="qbjnn"><rt id="qbjnn"></rt></fieldset>

<menuitem id="qbjnn"><tfoot id="qbjnn"></tfoot></menuitem>

<li id="qbjnn"><thead id="qbjnn"></thead></li>

<strong id="qbjnn"><object id="qbjnn"><track id="qbjnn"></track></object></strong>