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IRG4BC30S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 34A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30SS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SS_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-S_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SPBF

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 34A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC30S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，18A

  • 開關能量：

    260μJ（開），3.45mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/540ns

  • 測試條件：

    480V，18A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 34A 100W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG4BC30S供應商 更新時間2025-1-18 9:16:00

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