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IRFS11N50ATRLPBF	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS11N50ATRRPA	文件：350.04 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS11N50ATRRPBF	文件：989.99 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFSL11N50A	文件：371.69 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare? R	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFSL11N50A	文件：345.8 Kbytes Page：10 Pages	RepetitiveAvalancheRated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFSL11N50A	文件：123.55 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL11N50APBF	文件：810.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFY11N50CMA	文件：106.84 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFY11N50CMA	文件：107.94 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
KF11N50F	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=500V,ID=11A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF11N50P	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=500V,ID=11A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF11N50P	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=500V,ID=11A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF11N50P	文件：1.03344 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KF11N50P/F	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=500V,ID=11A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF11N50PF	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=500V,ID=11A ?Dr	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KSM11N50CF	文件：2.57609 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF11N50CF	文件：2.57609 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NDF11N50Z	文件：319.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDF11N50Z	文件：86.36 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDF11N50Z	文件：119.18 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.52	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRFS11N50ATRLPBF
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	24+	D2-PAK	2000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	23+	TO-263(D	7300	專業(yè)優(yōu)勢供應	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	2023+	D2-pak	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	21+	D2-PAK	35200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	12+	D2-PAK	3400	現(xiàn)貨	詢價
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	22+	D2-PAK	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價
京海半導體(深圳)有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	21+	D2-PAK	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFS11N50ATRLPBF	IR	2022+	D2-pak	12888	原廠代理終端免費提供樣品	詢價

更多IRFS11N50ATRLPBF供應商更新時間2024-11-18 15:00:00

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