首頁(yè)>IRFR9120TRR>芯片詳情

IRFR9120TRR_IR/國(guó)際整流器_MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK博通航睿技術(shù)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    IRFR9120TRR

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IR/國(guó)際整流器

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    7000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO252

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-18 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):IRFR9120TRR品牌:IR

  • 芯片型號(hào):

    IRFR9120TRRPBF

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    13 頁(yè)

  • 文件大小:

    1184.71 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    IRFR9120TRR

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    馬總

  • 手機(jī):

    18322198211

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    18322198211

  • 地址:

    天津市南開區(qū)科研西路12號(hào)356室