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IRFR9110TRR	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9110TRRPBF	文件：845.12 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9110	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-3.1A) DESCRIPTION ThirdGnerationMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9110	文件：62.52 Kbytes Page：7 Pages	3.1A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU9110	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9110	文件：792.48 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9110	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110	文件：345.12 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU9110	文件：845.12 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR9110,SiHFR9110) ?Straightlead(IRFU9110,SiHFU9110) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9110PBF	文件：1.8069 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9110PBF	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9110PbF	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110PBF	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110PBF	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9110PBF	文件：1.68872 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFU9110PBF	文件：845.12 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRHE9110	文件：201.41 Kbytes Page：8 Pages	POWERMOSFET100V-PCHANNELSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9110	文件：206.8 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR9110TRR
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFR9110TRR	IR	24+	TO-252	36800		詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFR9110TRR	VISHAY	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFR9110TRR	VB	21+	DPAK(TO-253)	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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深圳市芯福林電子科技有限公司	IRFR9110TRR	Vishay Siliconix	21+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR9110TRR	Vishay Siliconix	23+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRFR9110TRR	Vishay Siliconix	2022+	TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市富芯樂電子科技有限公司	IRFR9110TRR	IR	22+	TO-252	4500	全新原裝品牌專營(yíng)	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFR9110TRR	VB	23+	DPAK(TO-253)	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRFR9110TRR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:50:00

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