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IRFR9310PBF	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310PBF	文件：252.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9310PBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310PBF	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310PBF	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TR	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TR	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRL	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TRL	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRL	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRL	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRLA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRLPBF	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRLPBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TRLPBFA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRLPBFA	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TRPBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TRPBF	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRPBFA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR9310PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFR9310PBF	Vishay Siliconix	24+	D-Pak	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
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