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IRFR9310PBF	文件：252.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9310PBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR9310PBF	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TR	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TR	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR9310TRL	文件：3.34757 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRL	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRLA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR9310TRLPBFA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9310TRLPBFA	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9310TRPBF	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR9310TRPBFA	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR9310PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFR9310PBF	Vishay Siliconix	24+	D-Pak	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
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更多IRFR9310PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:12:00

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