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IRFR5305TRLPBF	文件：817.18 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=-60V,ID=-50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR5305TRLPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305TRPBF	文件：1.00738 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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IRFR5305TRPBF	文件：3.86247 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFRU5305	文件：156.72 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5305	文件：854.59 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheIRFU5305usesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFU5305	文件：304.5 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU5305	文件：3.75106 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU5305	文件：156.72 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5305PBF	文件：248.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.065廓,ID=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
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IRFU5305PBF	文件：3.86744 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KMB5305	文件：650.53 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSC5305	文件：102.73 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication ?Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation ?SuitableforhalfbridgelightballastApplications ?NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespreadeventhoughcornerspiritproduct ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC5305D	文件：102.73 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication ?Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation ?SuitableforhalfbridgelightballastApplications ?NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespreadeventhoughcornerspiritproduct ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC5305DFTTU	文件：102.73 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication ?Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation ?SuitableforhalfbridgelightballastApplications ?NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespreadeventhoughcornerspiritproduct ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC5305DTU	文件：102.73 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication ?Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation ?SuitableforhalfbridgelightballastApplications ?NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespreadeventhoughcornerspiritproduct ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR5305TRL
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFR5305TRLPBF	Infineon Technologies	24+	D-Pak	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IRFR5305TRLPBF	INFINEON/英飛凌	21+	NA	2870	只做原裝,假一罰十	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFR5305TRLPBF	IR	24+	TO252	295	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳良洲科技有限公司	IRFR5305TRLPBF	INFINEON	23+	NA	15000	原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFR5305TRLPBF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-252	9908	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFR5305TRLPBF	IR	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFR5305TRLPBF	I	24+	D-PAK	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFR5305TRLPBF	Infineon	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRFR5305TRLPBF	IR	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFR5305TRLPBF	英飛凌	報(bào)價(jià)為準(zhǔn)	INF	3000	國外訂貨7-10個(gè)工作日	詢價(jià)

更多IRFR5305TRL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 11:46:00

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