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IRFR3303TRL	文件：6.23075 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303TRLPBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3303TRPBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3303	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3303	文件：876.94 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3303PBF	文件：251.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3303PBF	文件：256.459 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3303PBF	文件：3.86139 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRL3303	文件：103.3 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303L	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303LPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303PBF	文件：1.33662 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303S	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303SPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3303	文件：154.82 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303	文件：161.97 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303PBF	文件：165.53 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303PBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：1.05098 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR3303TRL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	IRFR3303TRL	INTERNATIONA			3000	原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFR3303TRL	IR	24+	TO-252	36800		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFR3303TRL	IR/FSC	23+	TO-252	9500	專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
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更多IRFR3303TRL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 9:28:00

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