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IRFR120ATM	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Rugged Technology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR120N	文件：152.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120N	文件：335.39 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR120N	文件：536.66 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infraredorwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR120N	文件：466.21 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infraredorwavesoldering techniques.Powerdissipationlevelsupto 1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemount applications. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR120NCLPBF	文件：396.01 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRFR120N)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NPBF	文件：395.05 Kbytes Page：11 Pages	FastSwitching VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NPBF	文件：4.0085 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR120N)StraightLead(IRFU120N) VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120NPBF	文件：396.01 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NPBF	文件：396.01 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRFR120N)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120NTR	文件：536.66 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infraredorwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR120NTR	文件：466.21 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infraredorwavesoldering techniques.Powerdissipationlevelsupto 1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemount applications. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR120NTRPBF	文件：979.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFR120NTRRPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120PBF	文件：2.12101 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.27廓,ID=7.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120PBF	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120PBF	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR120PBF	文件：838.17 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR120TR	文件：179.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR120) ?Str	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120TR	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR120ATM
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市鵬和科技有限公司	IRFR120ATM	FAIRCHILD	24+	TO-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	IRFR120ATM	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價
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更多IRFR120ATM供應(yīng)商更新時間2025-1-1 10:20:00

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