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IRFPC50	文件：1.43395 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50	文件：164.56 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC50A	文件：95.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.58ohm, Id=11A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC50A	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50A	文件：225.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50A_V01	文件：225.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50APBF	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50LC	文件：333.89 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC50LC	文件：583.95 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50LC	文件：643.8 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Isolatedcentralmountinghole ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50LC_V01	文件：643.8 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Isolatedcentralmountinghole ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50LCPBF	文件：583.95 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50PBF	文件：1.43395 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50A	文件：224.27 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50APBF	文件：224.27 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPC50APBF	文件：182.39 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC50LCPBF	文件：1.59553 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFPC50
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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