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IRFP044N	文件：105.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044N	文件：335.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044NPBF_15	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044PBF	文件：1.76262 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044PBF	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFY044	文件：14.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY044	文件：161.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：161.43 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：161.43 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFET PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY044C0.040?16ACeramic IRFY044CM0.040?16ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-s	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：14.59 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY044CM	文件：281.28 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.040ohm,Id=16A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY044C0.040?16ACeramic IRFY044CM0.040?16*ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-s	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044M	文件：15.59 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
LPC044CTP	文件：78.11 Kbytes Page：1 Pages	VERTICALCLIPLITE4MMLITEPIPE	VCC Visual Communications Company	VCC
MB044F	文件：970.13 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTBRIDGERECTIFIERS	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 廣東鉅興電子廣東鉅興電子科技有限公司	JUXING
MVCO044	文件：360.62 Kbytes Page：7 Pages	SMTVoltageControlledOscillator	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成電路河北博威集成電路有限公司	BOWEI
ODD-SXU-044	文件：175.12 Kbytes Page：2 Pages	Photodiode331mm2	OPTODIODE OptoDiode Corp	OPTODIODE
PACDN044	文件：204.48 Kbytes Page：14 Pages	TransientVoltageSuppressors/ESDProtectors ProductDescription ThefamilyofdevicesconsistsofthePACDN042,PACDN043,PACDN044,PACDN045,andPACDN046.Thesedevicesaretransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentswhichmaybesubjectedtoelectrostaticdischarg	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
PACDN044	文件：345.38 Kbytes Page：24 Pages	TransientVoltageSuppressorsandESDProtectors ProductDescription ThefamilyofdevicesconsistsofthePACDN042,PACDN043,PACDN044,PACDN045,andPACDN046.Thesedevicesaretransientvoltagesuppressorarraysthatprovideaveryhighlevelofprotectionforsensitiveelectroniccomponentswhichmaybesubjectedtoelectrostaticdischarg	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRFP044N
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFP044N	IR	23+	TO-247AC	19526		詢價
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFP044N	IR	1816+	75	6523	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價
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更多IRFP044N供應商更新時間2024-12-28 13:00:00

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