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IRFM064	文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFM064	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM064_15	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064	文件：171.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.009ohm,Id=70*A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064	文件：1.7043 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：444.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP064	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：931.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Ultralowon-resistance ?Verylowthermalresistance ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064N	文件：727.96 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP064N	文件：355.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP064N	文件：612.848 Kbytes Page：9 Pages	類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：55V連續(xù)漏極電流(Id)：110A功率(Pd)：200W導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,59AN溝道,55V,110A,8mΩ@10V	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 PDF上傳者：深圳市亞泰盈科電子有限公司	Infineon
IRFP064N	文件：367.52 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrial applicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseof TO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortothe earlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmounting hole. AdvancedProcessTechnology UltraLow	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFP064NPBF	文件：2.55214 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064NPBF	文件：604.12 Kbytes Page：9 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064NPBF	文件：204.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP064PBF	文件：1.76999 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFM064
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 60V 35A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 60V, 35A TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
35A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
17mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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