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IRFIBC20GPBF

HEXFET Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ?SinktoLeadCreepageDist.=4.8

IRF

International Rectifier

IRFIBC20GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIBC20GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFIBC20GPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-220F
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢價(jià)
IR
21+
TO-220F
6000
原裝正品
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220
2036
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
IR
2021+
TO-220F
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
VishayIR
24+
TO-220F
1055
詢價(jià)
IR
23+
TO-220
18689
詢價(jià)
IR
17+
TO-220F
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2016+
TO-220
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多IRFIBC20GPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 10:12:00

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