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IRFF024	文件：132.63 Kbytes Page：7 Pages	60V, N-CHANNEL TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsof	IRF International Rectifier	IRF
IRFF024	文件：16.63 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFL024	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=2.8A) VDSS=55V RDS(on)=0.075? ID=2.8A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024N	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=2.8A) VDSS=55V RDS(on)=0.075? ID=2.8A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NPBF	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5m? ID=5.1A Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NPBF	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NTR	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NTRPBF	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5m? ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5m? ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZTRPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignedwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：1.04466 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFF024
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
60V, N-CHANNEL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFF024	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFF024NPBF	IR	22+	TO-252	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFF024NPBF	IR	23+	TO-252	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFF024NPBF	IR	23+	TO-252	7000		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFF110	INTERSIL	24+	TO-39	1931		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFF110	HAR	06+	原廠原裝	4244	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFF110	IOR	16+	CAN3	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFF110	IOR	23+	CAN3	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRFF110	HARRIS	23+	CAN3	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFF110	IR	24+	SMD	4	“芯達(dá)集團(tuán)”專營(yíng)軍工百分之百原裝進(jìn)口	詢價(jià)

更多IRFF024供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 9:01:00

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