IRFL024N中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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VDSS = 55V
RDS(on) = 0.075?
ID = 2.8A
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Surface Mount
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFL024N
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
SOT-223 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
4850 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
SOT-223 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOT-223 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR/國(guó)際整流器 |
23+ |
SOT-223 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOT-223 |
2000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
1822+ |
SOT-223 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-223 |
121211 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2614 TO261AA |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
SOT-223 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |