首頁 >IRF9Z34NSTRLPBF>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRF9Z34STRL

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRLPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRLPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRR

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRRPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z34STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34G

HEXFETPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI9Z34G

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34G

PowerMOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI9Z34GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF9Z34NSTRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
2020+
TO-263
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫存 價格優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
新年份
N/A
20000
原裝現(xiàn)貨,質(zhì)量保證,可出樣品可開稅票
 詢價
INFINEON/IR
1907+
NA
1600
20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨
 詢價
INFINEON
22+
TO-263-2
23200
原裝正品可支持驗貨,歡迎咨詢
 詢價
Infineon Technologies
24+
D2PAK
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IR
SOT-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價
IR
16+
TO-263
6312
全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-263
23
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
Infineon
2216
TO-263
800
原裝正品老板王磊+13925678267
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-263
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
更多IRF9Z34NSTRLPBF供應(yīng)商 更新時間2025-5-1 11:04:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多