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IRF9Z24NSTRLPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRF9Z24NSTRR

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z24PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z24PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z24PBF

powermosfet

IRF

International Rectifier

IRF9Z24S

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z24S

PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z24S

PowerMOSFET

FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z24S,SiHF9Z24S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z24SPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z24SPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF9Z24NSTRL

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
2020+
TO-263
9600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
IR
2020+
TO-263
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫存 價格優(yōu)勢
 詢價
INFINEON/IR
14+
TO-263-3 (D2PAK)
1600
詢價
INFINEON/IR
1907+
NA
1600
20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨
 詢價
IR
1442+
D2-PAK
15515
詢價
IR
SOT-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價
IR
16+
TO-263
6306
全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2
 詢價
INFINEON/英飛凌
15+
TO-263
2400
進口原裝假一賠十支持含稅
 詢價
IR
21+
TO-263
6850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
210494
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
更多IRF9Z24NSTRL供應商 更新時間2025-1-20 16:17:00

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