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IRF9Z24S中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF9Z24S
廠商型號(hào)

IRF9Z24S

功能描述

Power MOSFET

文件大小

2.30422 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-1 9:25:00

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IRF9Z24S規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)

? Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L)

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? P-Channel

? Fully Avalanche Rated

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF9Z24S

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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