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IRF9Z14

Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)

IRF

International Rectifier

IRF9Z14

Repetitive Avalanche Rated

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z14

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF9Z14

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z14

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z14

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF9Z14L

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z14L

Power MOSFET

FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) ?Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z14LPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF9Z14S

Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF9Z14

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
17+
TO-220AB
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
IR
05+
原廠原裝
4666
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
2015+
TO-220AB
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220
9896
詢價(jià)
IR
24+
TO-220
499
詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220AB
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
19+
TO-220
74806
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
IOR
24+
TO-220
2987
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)!
 詢價(jià)
更多IRF9Z14供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-24 10:00:00

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