首頁 >IRF9Z14LPBF>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRF9Z14LPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z14LPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z14PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z14PBF

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRF9Z14PBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-60V,RDS(on)=0.50廓,ID=-6.7A)

IRF

International Rectifier

IRF9Z14S

PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF9Z14S

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z14S

PowerMOSFET

FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) ?Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z14SPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRF9Z14SPBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號：

    IRF9Z14LPBF

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
I2PAK
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
 詢價
VishayIR
24+
TO-262
1077
詢價
IR
2016+
TO-262
6528
房間原裝進口現貨假一賠十
 詢價
VISHAY
23+
TO262
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IR
2020+
TO-262
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
VISHAY
1809+
TO-262
3675
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IR
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
 詢價
Vishay Siliconix
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現貨配單
 詢價
Vishay Siliconix
21+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IR
22+
TO-262
8900
英瑞芯只做原裝正品!!!
 詢價
更多IRF9Z14LPBF供應商 更新時間2025-4-11 20:14:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多