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IRF7204中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF7204
廠商型號(hào)

IRF7204
功能描述

- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET
絲印標(biāo)識(shí)

IRF7204
封裝外殼

SOP-8
文件大小

1.04499 Mbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

EVVOSEMI【翊歐】

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-4-9 20:00:00
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IRF7204規(guī)格書詳情

General Description:

The IRF7204 is the single P-Channel logic

enhancement mode power field effect transistors to provide excellent RDS(on), low gate charge and low

gate resistance. It’s up to -30V operation voltage is well

suited in switching mode power supply, SMPS, notebook computer power management and other battery powered circuits.

Features:

RDS(ON)<55m @VGS=10V RDS(ON)<90m @VGS=4.5V

Super high density cell design for extremely low

RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current

Applications:

Switching power supply, SMPS

Battery Powered System

DC/DC Converter

DC/AC Converter

Load Switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF7204

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
3505
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
 詢價(jià)
I&R
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SOP
20000
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！
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5000
誠信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤。
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