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IRF720中文資料三星數據手冊PDF規(guī)格書

IRF720
廠商型號

IRF720

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

273.52 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-21 22:58:00

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IRF720規(guī)格書詳情

FEATURES

? Lower RDS(on)

? Improved inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Lower input capacitance

? Extended safe operation area

? Improved high temperature reliability

產品屬性

  • 型號:

    IRF720

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
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