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IRF7201中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF7201
廠商型號(hào)

IRF7201
功能描述

HEXFET Power MOSFET
文件大小

114.26 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 22:58:00
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IRF7201規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

? Generation V Technology

? Ultra Low On-Resistance

? N-Channel MOSFET

? Surface Mount

? Available in Tape & Reel

? Dynamic dv/dt Rating

? Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF7201

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
2016+
SOP8
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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IR
2020+
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80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
進(jìn)口IR
20+
SOP8
2960
誠(chéng)信交易大量庫(kù)存現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IOR
96+
SOP8
2255
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
20+
SOP-8
38900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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2002
2034
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全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票
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