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IRF640B_FP001_Q

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF640B_FP001_Q

  • 功能描述：

    MOSFET 200V Single

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
22+
6000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
IR
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
23+
7000
詢價
IR
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
IR
2022
TO-220
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
I
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
VB
21+
TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
VB
TO-220
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
VBSEMI
24+
con
35960
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
 詢價
FC
16+
TO220
350
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
更多IRF640B_FP001_Q供應商 更新時間2025-1-3 14:00:00

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