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IRF260	文件：438.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
IRFB260	文件：90.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.040ohm,Id=56A) SMPSMOSFET VDSSRDS(on)maxID 200V0.040?56A Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260N	文件：90.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.040ohm,Id=56A) SMPSMOSFET VDSSRDS(on)maxID 200V0.040?56A Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260N	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB260NPBF	文件：167 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260NPBF	文件：175.96 Kbytes Page：9 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFI260	文件：135.18 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=45A*) 200Volt,0.060?,HEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvan	IRF International Rectifier	IRF
IRFI260	文件：61.18 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM260	文件：442.38 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=35A*) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRFM260	文件：189.74 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260	文件：122.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260	文件：36.08 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutatingdv/dtrating ?Fastswitchingtimes	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP260	文件：541.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP260	文件：443.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260	文件：1.79918 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP260	文件：687.16 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP260M	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ·DESCRITION ·HighSpeedPowerSwitching ·FEATURES ·Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40m? ·Enhancementmode: ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.04? ID=50A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETP	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：1.13621 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF260
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Electronic Component

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	IRF260	IR	22+	TO-3P	12845	原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF260	IR	22+	TO-3	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF260	IR	23+	TO-3	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRF260	IR	22+	TO-3	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF260	IR	23+	TO-220	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF260	IR	23+	TO-220	7000		詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF2605	IR	17+	TO-251	6200		詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF260N	IR	05+	原廠原裝	6301	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF260N		2020+		5000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IRF2605	IR	23+	TO-251	15000	專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)

更多IRF260供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 14:54:00

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