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IPD30N03S2L-10

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N03S2L-10

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10

OptiMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPD30N03S2L-10G

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD30N03S2L-10G

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPU30N03S2L-10

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPU30N03S2L-10

OptiMOSPower-Transistor

Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?Lowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPD30N03S2L-10

  • 功能描述：

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 10mOhms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
20+
TO-252
6350
終端可免費提供樣品,歡迎咨詢
 詢價
Infineon英飛凌專營
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨當(dāng)天可交貨,長期備貨支持BOM配單賬期
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
12048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
16316
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
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INFINEON
24+
TO-252
60000
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨
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INFINEON/英飛凌
23+
TO252-3
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
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INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
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Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
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INFINEON
19+
TO-252
74347
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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更多IPD30N03S2L-10供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 13:00:00

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