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IPD50N06S4L-12

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPD50N06S4L-12

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon/英飛凌
20+
TO-252
16300
終端可免費提供樣品,歡迎咨詢
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INFINEON
1501+
SMD
20
公司有現(xiàn)貨的
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INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17640
原裝進口假一罰十
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INFINEON
21+
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TO252
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Infineon(英飛凌)
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
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只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持
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更多IPD50N06S4L-12供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 13:00:00

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