LED前沿動態(tài)
化合物半導體結(jié)晶、外延片的最新動向單結(jié)晶技術(shù)、外延片技術(shù)成為關(guān)鍵技術(shù)。化合物半導體單晶片襯底材料主要有:用于低亮度型LED的GaP襯底;用于高亮度四元系LED、紅外LED、光盤用半導體LD、手機等移動電子設(shè)備上的GaAs襯底、通信專用LD上的InP襯底。除此以外,最近,以藍光LE,一、重點研究機構(gòu)1名古屋工業(yè)大學名古屋工業(yè)大學納米器件及系統(tǒng)研究中心是由著名專家梅野正義教授創(chuàng)立,在現(xiàn)任主任江川孝志教授的領(lǐng)導下,包括邵春林教授在內(nèi)的華人博士團隊長期致力于以硅為襯底的氮化鎵(GaN)系化合物半導體的研究。