首頁>IKB10N60T>芯片詳情

IKB10N60T_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A宏興瑞科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IKB10N60T

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-16 9:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IKB10N60T品牌：INFINEON

原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    IKB10N60T

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    643.39 kb

  • 資料說明：

    IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IKB10N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏興瑞科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18923720076

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

相近型號(hào)