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IKB10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKP10N60T	文件：352.4 Kbytes Page：13 Pages	TrenchStopSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKP10N60T	文件：458.12 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU10N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFBL10N60A	文件：117.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFA10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?S	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N60P	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IKB10N60T
功能描述：
IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市英科美電子有限公司	IKB10N60T	INFINEON/英飛凌	2021+	SOT-263	17193	原裝進口假一罰十	詢價
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更多IKB10N60T供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:04:00

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