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IK-064D-W	文件：1.15955 Mbytes Page：2 Pages	IF/IK SERIES Features -Ideallysuitedproductsthatmustconformtopart15, FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Snapi	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IM064CP	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	IMSERIES Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IM-064C-P	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IM064DP	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	IMSERIES Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IM-064D-P	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IRF064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRFI064	文件：226.56 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=60V,Rds(on)=0.017ohm,Id=45A*) HEXFET?TRANSISTORN-CHANNEL AVALANCHEENERGYRATEDANDdv/dtRATED 60Volts,0.017OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI064	文件：230.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM064	文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFM064	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064	文件：171.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.009ohm,Id=70*A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064	文件：1.7043 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：444.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP064	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064	文件：931.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Ultralowon-resistance ?Verylowthermalresistance ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064N	文件：727.96 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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