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IM-064D-P	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMC FILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IRF064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRFI064	文件：226.56 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=60V,Rds(on)=0.017ohm,Id=45A*) HEXFET?TRANSISTORN-CHANNEL AVALANCHEENERGYRATEDANDdv/dtRATED 60Volts,0.017OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI064	文件：230.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM064	文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA)	IRF International Rectifier	IRF
IRFM064	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064	文件：171.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.009ohm,Id=70*A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064	文件：1.7043 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP064	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP064	文件：444.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP064	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP064	文件：931.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Ultralowon-resistance ?Verylowthermalresistance ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRF International Rectifier	IRF
IRFP064N	文件：727.96 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP064N	文件：355.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP064N	文件：612.848 Kbytes Page：9 Pages	類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：55V連續(xù)漏極電流(Id)：110A功率(Pd)：200W導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,59AN溝道,55V,110A,8mΩ@10V	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 PDF上傳者：深圳市亞泰盈科電子有限公司	Infineon
IRFP064N	文件：367.52 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrial applicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseof TO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortothe earlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmounting hole. AdvancedProcessTechnology UltraLow	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRFP064NPBF	文件：2.55214 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市賽美科科技有限公司	IM065	FDK		ROHS	13352	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
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上海意淼電子科技有限公司	IM067	FDK	23+	NA	20000	全新原裝假一賠十	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	IM067	FDK	23+	NA/	4750	原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IM067	FDK	23+	SMD	1500	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IM0680R	原廠	23+	TO3P-5	5000	原裝正品,假一罰十	詢價

更多IM-064D-P供應商更新時間2024-12-26 11:00:00

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