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IIRFR1018E	文件：335.83 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤8.4m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPT-1018	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	ICReferenceDesignTransformers	ICE ice Components, Ins.	ICE
IRF1018E	文件：339.11 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1018EPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018EPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ES	文件：299.96 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1018ESLPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESLPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018E	文件：335.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤8.4m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018ETRPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1018E	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
ISF1018	文件：334.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=0.073Ω(typ.) ·EasytocontrolGateswitching ·Enhancementmode :Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1.5mA) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KIT1018S	文件：253.66 Kbytes Page：4 Pages	PhotoInterrupter	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市鼎欣微電子有限公司	IIRFR9220TRLPBF	VISHAY/威世	21+	TO-252	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IIRFU210	IR	23+	TO-251	7000		詢價(jià)
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更多IIRFR1018E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 11:04:00

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