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IRFU1018EPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFU1018EPBF規(guī)格書詳情
Benefits
? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
? Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
? Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Applications
? High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
? Uninterruptible Power Supply
? High Speed Power Switching
? Hard Switched and High Frequency Circuits
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFU1018EPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
16+ |
TO-251 |
9900 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-251 |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-251 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO251 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO251 |
60000 |
詢價 | |||
IR |
20+ |
TO-251 |
10203 |
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
7000 |
詢價 | |||
IR |
21+ |
TO-251 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
65300 |
一級代理/放心購買! |
詢價 |
