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IHW20N120R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior ?NPTtechnologyoffers

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IHW20N120R

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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IHW20N120R2

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: ?PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage ?Bodydiodeclampsnegativevoltages ?TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,te

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IHW20N120R2

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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IHW20N120R3

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

1.Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly 2.LowEMI 3.QualifiedaccordingtoJESD-022fortargetapplications 4.Pb-freeleadplating;RoHScompliant

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IHW20N120R3

Material Content Data Sheet

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IHW20N120R3_15

Material Content Data Sheet

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IHW20N120R3_1501

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW20N120R5

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW20N120R2

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A 330W TO247-3

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IHW20N120R3FKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

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IHW20N120R5XKSA1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A TO247-3

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IHW20N120R

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
24+
TO-247-3
8866
詢價(jià)
INFINEON
2016+
TO-3P
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO247
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-247
5500
現(xiàn)貨,全新原裝
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
英飛凌INFINEON
22+23+
TO-247
25461
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
TO-220AB
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
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INF
2021+
TO-247
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
PG-TO-247-3-1
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
22+
TO247
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
更多IHW20N120R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 14:30:00

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