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IHW20N120R3

Marking：H20R1203；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

1.Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly 2.LowEMI 3.QualifiedaccordingtoJESD-022fortargetapplications 4.Pb-freeleadplating;RoHScompliant

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IHW20N120R3

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IHW20N120R3_15

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IHW20N120R3_1501

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW20N120R3FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

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IHY20N120R3

ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode

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詳細參數

  • 型號：

    IHW20N120R3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IHW20N120R3供應商 更新時間2025-3-26 16:42:00

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