法国丝袜精品猛片,国产成年无码在线观看

<form id="unsbp"></form>

首頁 >IDT71V67603S133PF>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IDT71V67603S133PF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71V67603S133PFG	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S133PFGI	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S133PFI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71V67603S133PFI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BGG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BGGI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BGI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BQ	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BQG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BQGI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133BQI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133PFG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S133PFGI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71V67603S133BGG	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S133BGGI	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S133BQG	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S133BQGI	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IDT71V67603S133PF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市卓越微芯電子有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	2020+	TQFP100	18600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	22+	LQFP100	30000	我司100%原裝正品現(xiàn)貨,現(xiàn)貨眾多歡迎加微信	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	16+	TQFP	970	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	2016+	TQFP100	5562	只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!或訂貨!假一賠十!	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	23+	100-TQFP(14x14)	1389	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	23+	100TQFP	9526		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	23+	QFP100	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	24+	TQFP100	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市英科美電子有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	2021+		1931	只做原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IDT71V67603S133PF	IDT	22+23+	TQFP100	13462	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IDT71V67603S133PF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-20 13:58:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號(hào) 粵公網(wǎng)安備 44030402000933號(hào)

<td id="gk4k5"></td>