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IRFR320B

400VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFR320B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR320PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR320PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR320PBF

PowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR320PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR320TR

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR320TRA

PowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR320TRL

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFR320TRLA

PowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ICO-320-SGT

  • 制造商：

    Samtec Inc.

  • 類別：

    連接器，互連器件 > IC 插座

  • 系列：

    ICO

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    DIP，0.3"（7.62mm）行距

  • 針位或引腳數(shù)（柵格）：

    20（2 x 10）

  • 間距 - 配接：

    0.100"（2.54mm）

  • 觸頭表面處理 - 配接：

    鍍金

  • 觸頭表面處理厚度 - 配接：

    30.0μin（0.76μm）

  • 觸頭材料 - 配接：

    銅鈹

  • 安裝類型：

    通孔

  • 特性：

    開放框架

  • 端接：

    焊接

  • 間距 - 柱：

    0.100"（2.54mm）

  • 觸頭表面處理 - 柱：

    錫

  • 觸頭材料 - 柱：

    黃銅

  • 外殼材料：

    聚酯，玻璃纖維增強型

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 描述：

    CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMTEC
24+
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一級代理/放心采購
 詢價
SAMTEC
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