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IRF320

2.8Aand3.3A,350Vand400V,1.8and2.5Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF320LSPBF

HEXFET?PowerMOSFET

VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=110A Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFE

IRF

International Rectifier

IRFD320

0.5A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

Description ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuch

Intersil

Intersil Corporation

IRFD320

PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.8ohm,Id=0.49A)

VDSS=400V RDS(on)=1.8? ID=0.49A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca

IRF

International Rectifier

IRFD320

PowerMOSFET

VDS(V)400 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.8 Qg(Max.)(nC)20 Qgs(nC)3.3 Qgd(nC)11 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD320

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD320PBF

HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=400V,RDS(on)=1.8廓,ID=0.49A)

VDSS=400V RDS(on)=1.8? ID=0.49A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca

IRF

International Rectifier

IRFD320PBF

PowerMOSFET

VDS(V)400 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.8 Qg(Max.)(nC)20 Qgs(nC)3.3 Qgd(nC)11 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFE320

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18)

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners

IRF

International Rectifier

IRFE320

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ICO-320-SGT

  • 制造商：

    Samtec Inc.

  • 類別：

    連接器，互連器件 > IC 插座

  • 系列：

    ICO

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    DIP，0.3"（7.62mm）行距

  • 針位或引腳數(shù)（柵格）：

    20（2 x 10）

  • 間距 - 配接：

    0.100"（2.54mm）

  • 觸頭表面處理 - 配接：

    鍍金

  • 觸頭表面處理厚度 - 配接：

    30.0μin（0.76μm）

  • 觸頭材料 - 配接：

    銅鈹

  • 安裝類型：

    通孔

  • 特性：

    開放框架

  • 端接：

    焊接

  • 間距 - 柱：

    0.100"（2.54mm）

  • 觸頭表面處理 - 柱：

    錫

  • 觸頭材料 - 柱：

    黃銅

  • 外殼材料：

    聚酯，玻璃纖維增強型

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 描述：

    CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMTEC
24+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
SAMTEC
新
16
全新原裝 貨期兩周
 詢價
SAMTEC/申泰
23+
2021
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
SAMTEC
2022+
260
全新原裝 貨期兩周
 詢價
SAMTEC/申泰
21+
DIP
1574
詢價
SAMTEC
NA
8560
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
SAMTEC/申泰
2023+
DIP
6895
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
SAMTEC/申泰
24+
NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
SAMTEC
06+
原廠原裝
4735
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
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ROBINSON NUGENT
2023+
SMD
20522
安羅世紀電子只做原裝正品貨
 詢價
更多ICO-320-SGT供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 12:22:00

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