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HRH13N50BNB	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH13N50BNF	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH13N50BNP	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH13N50BNV	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH13N50BNW	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH13N50BNX	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HY13N50FT	文件：150.24 Kbytes Page：4 Pages	500V/13AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY13N50T	文件：150.24 Kbytes Page：4 Pages	500V/13AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRF13N50	文件：340.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRFB13N50A	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB13N50A	文件：2.67683 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowerGateChargeQgResultsinSimplerDrive Reqirements ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptiblePowerSupp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB13N50A	文件：97.08 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.450ohm,Id=14A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●High	IRF International Rectifier	IRF
IRFB13N50A	文件：156.42 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB13N50A	文件：167.49 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB13N50APBF	文件：181.42 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●High	IRF International Rectifier	IRF
IRFB13N50APBF	文件：156.42 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB13N50APBF	文件：167.49 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IXFC13N50	文件：512.85 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC13N50	文件：323.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFH13N50	文件：82.77 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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更多HRH13N50BNB供應商更新時間2024-11-7 15:00:00

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