HIP6602集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
HIP6602 |
參數(shù)屬性 | HIP6602 封裝/外殼為14-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
功能描述 | Dual Channel Synchronous-Rectified Buck MOSFET Driver |
封裝外殼 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
516.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-6-6 22:58:00 |
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HIP6602規(guī)格書詳情
Features
? Drives Four N-channel MOSFETs
? Adaptive Shoot-Through Protection
? Internal Bootstrap Devices
? Supports High Switching Frequency
- Fast Output Rise Time
- Propagation Delay 30ns
? Small 14-Lead SOIC Package
? 5V to 12V Gate-Drive Voltages for Optimal Efficiency
? Three-State Input for Bridge Shutdown
? Supply Under-Voltage Protection
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
HIP6602BCB-T
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
同步
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10.8V ~ 13.2V
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
20ns,20ns
- 工作溫度:
0°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
14-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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