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HIP6601BECBZ中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
HIP6601BECBZ |
參數(shù)屬性 | HIP6601BECBZ 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | Drives Two N-Channel MOSFETs |
文件大小 |
256.459 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Intersil Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Intersil |
中文名稱 | Intersil Corporation官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-7 11:17:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
HIP6601BECBZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
管件
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
同步
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10.8V ~ 13.2V
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
20ns,20ns
- 工作溫度:
0°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC-EP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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22+ |
原裝 |
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Intersil |
22+ |
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