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HIP6601BECBZ中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HIP6601BECBZ
廠商型號

HIP6601BECBZ

參數(shù)屬性

HIP6601BECBZ 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Drives Two N-Channel MOSFETs

文件大小

256.459 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-7 11:17:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HIP6601BECBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    20ns,20ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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