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HGTG12N60C3D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG12N60C3D
廠商型號

HGTG12N60C3D
參數(shù)屬性

HGTG12N60C3D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 24A 104W TO247
功能描述

24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

98.21 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-20 23:00:00

HGTG12N60C3D規(guī)格書詳情

The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061.

Features

? 24A, 600V at TC = 25°C

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 210ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG12N60C3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    380μJ（開），900μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 24A 104W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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